20W過渡抑制DCDCコンバータ

Sales 20W過渡抑制DCDCコンバータ

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製品の詳細  

1HSDF28Dシリーズ過渡抑制DC/DCコンバータの機能

高信頼性


広い入力電圧範囲:15V〜50V、標準
DC入力電圧:28V

サージ保護電圧:80V、1秒

出力電力PO:20W

動作温度範囲Tc:-55℃〜+125℃

起動電流が少ない

出力オーバーシュートなし

抑制機能

入力不足電圧ロック機能

および出力短絡保護

最大電力密度:38W / in3

密閉された金属ケース



2.HSDF28Dシリーズ過渡抑制DCDCコンバータの適用範囲

航空・航空宇宙など向けの高信頼性電子システム

3.HSDF28Dシリーズ過渡抑制DCDCコンバータの説明

HSDF28Dシリーズ過渡抑制DCDCコンバータのデバイスは信頼性が高く、DC DCコンバータ用のサージ保護(80v、1s)を備えています。シングルエンドフライバック、パルス幅変調、およびトランス磁気フィードバックトポロジー設計は、HSDF28Dシリーズ過渡抑制DCDCコンバータのデバイス。動作原理は、オプトカプラーによって結合された出力電圧のサンプリング信号が、入力ループ電流のサンプリング信号と連動して、コントローラーのパルス幅を調整することです。ダブルループ制御により、定電圧出力と短絡保護が実現します。厚膜ハイブリッド技術により、HSDF28Dシリーズ過渡抑制DCDCコンバータ高い信頼性と最適な小型化を実現します。の設計および製造プロセスHSDF28Dシリーズ過渡抑制DCDCコンバータMIL-PRF-38534および詳細仕様に準拠しています。

4.HSDF28Dシリーズ過渡抑制DC-DCコンバータの技術仕様

表2定格条件と推奨動作条件

絶対最大。評価

入力電圧:15V〜50V

入力電圧(過渡、1秒):80V

出力電力:22W

保管温度:-65℃〜150℃

機械的衝撃:1500g

鉛抵抗溶接温度:300℃(15秒)

重量(フランジなし/フランジ付き):31g / 34g

帯電防止強度:2000V


表3電気的特性

いいえ。

アイテム

条件(特に指定のない限り、perTc u003d 25℃、VIN u003d 28V±5%のテスト条件)

HSDF28D5

HSDF28D5F

HSDF28D12

HSDF28D12F

HSDF28D12

HSDF28D12F

最小

マックス

最小

マックス

最小

マックス

1

入力電圧/V

低、高、周囲温度

15

50

15

50

15

50

2

出力電圧/V

ポジティブ

アンビエント

4.95

5.05

11.88

12.12

14.85

15.15

ネガティブ

4.80

5.20

11.80

12.20

14.80

15.20

ポジティブ

低/高

4.925

5.075

11.82

12.18

14.80

15.20

ネガティブ

4.75

5.25

11.52

12.48

14.40

15.60

3

出力電流/A

VIN u003d 15V〜50V

1.5

0.833

0.666

4

出力電力/W


0

15

0

20

0

20

5

出力リップル電圧/mV

BW≤6MHz、Iou003dフル

ロード

60

50

60

6

ラインレギュレーション/mV

ポジティブ

VIN u003d 16V〜40V、Iou003dフル

50

50

50

ネガティブ

50

50

50

7

LoadRegulation / mV

ポジティブ

完全に無負荷

50

50

50

ネガティブ

50

50

50

8

入力電流/mA

禁止

6

6

6

Iou003d無負荷

60

60

60

9

入力リップル電流/mA

BW≤20MHz、Iou003dフル

ロード

60

60

60

10

効率/%

Iou003dフル

ロード

73

78

79

11

アイソレーション/MΩ

500V、Tc u003d 25℃での入力から出力または任意のピンからケース(ピン7、8を除く)

100

100

100

12

抑制機能


0

0.7

0

0.7

0

0.7

13

低電圧開放電圧/V

Iou003dフル

ロード

12.0

14.8

12.0

14.8

12

14.8

14

低電圧カットオフ電圧/V

Iou003dフル

ロード

11.0

14.5

11.0

14.5

11

14.5

15

短絡保護





16

Capacitiveロード

/μF

Tcu003d25℃

500

500

500

17

切り替え周波数/ kHz

Iou003dフル

ロード

350

500

350

500

350

500

18

相互規制

1つは30%の負荷で、もう1つは30%から70%の負荷です

500

500

500

19

ステップ負荷応答過渡(mV pK)

50%負荷→全負荷

→50%負荷

400

400

400

20

ステップ負荷応答回復(μs)

50%負荷→全負荷

→50%負荷

500

500

500

21

ステップライン応答トランジェント(mV pK)

VIN:16V→40V、

VIN:40V→16V、Iou003d全負荷

800

900

900

22

ステップライン応答回復(μs)

VIN:16V→40V

VIN:40V→16V

Iou003d全負荷

700

500

500

23

起動オーバーシュート(mV pK)

VIN:0→28V、

Iou003d全負荷

25

50

50

24

起動遅延(ms)

VIN:0→28V、

Iou003d全負荷

20

20

20

5.HSDF28Dシリーズ過渡抑制DC-DCコンバータの回路ブロック図


図1HSDF28D直列回路のブロック図

6.典型的な特性曲線

HSDF28Dシリーズ過渡抑制DC-DCコンバータの概要


(特に指定のない限り、Tc u003d 25℃、VIN u003d 28V±5%による試験条件)



図2HSDF28Dの効率


図3HSDF28D15ステップライン応答


図4HSDF28D15ステップ荷重応答


図5HSDF28D15起動オーバーシュート/起動遅延

7.HSDF28Dシリーズの過渡抑制DC-DCコンバータのMTBF曲線



図6MTBF温度曲線(HSDF28D15)

8.HSDF28Dシリーズの過渡抑制DC-DCコンバーターのピン指定



図7ピン配置底面図

表4ピンの指定

ピン

シンボル

指定

1

INH

禁止する

2

VO +

正の出力

3

GNDO

共通出力

4

VO-

負の出力

5

NC

接続なし

6

GNDC

ケースグラウンド

7

GNDI

入力コモン

8

VIN

正の入力



9.HSDF28Dシリーズの過渡抑制DC-DCコンバータの一般的な接続図



図8接続図


C1 u003d C3 u003d 10uF 、; C2 u003d C4 u003d 0.1Uf、C1-C4はすべて多層コンデンサです
図9EMIフィルターの接続図


図10ドライバー回路図の禁止

10.HSDF28Dシリーズ過渡抑制DC / DCコンバータのパッケージ仕様(単位:mm)

①フランジなしパッケージ


図11底面図

図12側面図


②フランジ付きパッケージ


図13底面図

図14側面図


表5パッケージの概要

シンボル

単位/mm

最小

典型的な

マックス

A

-

8.4

8.90

A1

1.20

1.50

1.80

φb

0.63

0.76

0.89

D

-

28.44

28.94

E

-

36.83

37.33

e

-

20.32

-

e1

-

5.21

-

e2

-

12.83

-

e3

-

17.91

-

e4


22.99


e5

-

28.07

-

X


50.80

51.30

X1

43.45

43.95

44.45

P

3.00

3.30

3.60

L

5.35

6.35

-


表6ケースマテリアル

ケースモデル

ヘッダ

ヘッダーメッキ

カバー

カバーメッキ

ピン

ピンメッキ

密閉する

ノート

UPP3728-08t

(フランジなし)

冷間圧延鋼(10#)

Ni

コバール

(4J42)

Ni

Cu-coreCompound

Ni / Au

平行縫い目

Niメッキはケースアースピン用です

UPP3728-08j

(フランジ付)

冷間圧延鋼(10#)

Ni

コバール

(4J42)

Ni

Cuコア化合物

Ni / Au

平行縫い目

Niメッキはケースアースピン用です


11.HSDF28Dシリーズの過渡抑制DC-DCコンバーターの注文情報





図15部品番号キー


アプリケーションノート:


  • デバイスに恒久的な損傷を与えないように、電源を投入するときは、電源の正端子と負端子の両方を正しく接続する必要があります。
  • 電気的特性を測定する場合、試験位置は装置のピン底部とします。
  • ピンの損傷を防ぐために、デバイスのベースプレートは、デバイスの取り付け中に回路基板にしっかりと取り付けられている必要があります。必要に応じて耐衝撃対策を講じる。
  • ガラス絶縁体のひび割れやケースの漏れを防ぐために、ピンを曲げないでください。
  • 禁止端子のピンは、操作していない間は空中に吊るしてください。
  • ケースの温度が125℃の場合、ヒートシンク(銅)の厚さは3mm、面積は70mm×50mm以上である必要があります。
  • このデバイスを注文するとき、詳細な電気的仕様は関連する規格に基づくものとします。このドキュメントで提供されるデータは、参照のみを目的としています。


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