パラメータ

試験条件

グループ④

MSK4300H③

MSK4300②

単位

コントロールの選択

分

典型的な

最大

分

典型的な

最大

静的バイアス電流

すべての入力をシャットオフします

1,2,3

2.5

8

2.5

8

mA

動作電流

周波数u003d20KHZ、50％のデューティサイクル

1,2,3

12.5

15

12.5

15

mA

低電圧しきい値（低下）

1

5.75

6.6

7.5

5.75

6.6

7.5

V

低電圧しきい値（上昇）

1

6.2

7.1

8

6.2

7.1

8

V

低レベル入力電圧①

-

-

-

0.8

-

-

0.8

V

高レベル入力電圧①

-

2.7

-

-

2.7

-

-

V

低レベル入力電流①

VIN u003d 0V

-

60

100

135

60

100

135

マイクロアンペア

高レベル入力電流①

VIN u003d 5V

-

-1

-

+1

-1

-

+1

マイクロアンペア

出力ブリッジ

ドレイン-ソース間降伏電圧

ID u003d25μA、すべての入力をシャットオフ

-

70

-

-

70

-

-

V

ドレイン-ソースリーク電流

VDS u003d 70V

-

-

-

25

-

-

25

マイクロアンペア

ドレイン-ソースターンオン抵抗（各FET）

ID u003d 10A

1

-

-

0.3

-

-

0.3

オーム

ドレイン-ソースターンオン抵抗（FET、熱計算専用）①

-

-

-

0.16

-

-

0.16

オーム

スイッチング特性

立ち上がり時間

V + u003d 30V、RLu003d3Ω

-

5

-

-

5

-

ナノ秒

時間の減少

ID u003d 10A

-

-

-

-

6

-

ナノ秒

導通遅延（下）

SWR抵抗u003d∞

4

-

0.5

2

-

0.5

3

マイクロ秒

シャットオフディレイ（ダウン）

SWR抵抗u003d∞

4

-

5

8

-

5

10

マイクロ秒

導通遅延（上）

SWR抵抗u003d∞

4

-

5

8

-

5

10

マイクロ秒

シャットオフディレイ（アップ）

SWR抵抗u003d∞

4

-

0.5

2

-

0.5

3

マイクロ秒

デッドタイム

SWR抵抗u003d∞

4

6

7

8

6

7

8

マイクロ秒

デッドタイム

SWR抵抗12K

4

0.3

0.5

0.7

0.3

0.5

0.7

マイクロ秒

ソース–ドレインダイオードの特性

順方向電圧①

ISD u003d 10A

-

-

1.05

1.25

-

1.05

1.25

V

逆回復時間①

ISD u003d 10A、di / dt u003d100A/μS

-

-

75

-

-

75

-

ナノ秒

ピン

シンボル

指定

ピン

シンボル

指定

1

BH '

Bチャンネルハイレベルロジック信号入力

6

VBIAS

ゲートドライブ用電源

2

BL

Bチャンネル低レベルロジック信号入力

7

EN '

システムの作業可能

3

AL

チャネル低レベルロジック信号入力

8

CL

Cチャネルローレベルロジック信号入力

4

AH '

チャネルハイレベルロジック信号入力

9

CH '

Cチャンネルハイレベルロジック信号入力

5

SWR '

デッドタイムコントロール

10

GND

GND

11

CΦ

三相ブリッジCチャンネル出力

12

RSENSE

電源GND

13

RSENSE

電源GND

14

AΦ

三相ブリッジAチャンネル出力

15

V+

+ 28V

16

V+

+28Vを接続

17

BΦ

三相ブリッジBチャネル出力

18

NC

サスペンド